发光室举办“发光学论坛”第1期学术报告

　　为了活跃实验室的学术氛围，提升实验室的科研创新能力，促进实验室与国内及国际研究单位的交流合作，实现多领域、多学科的交叉创新，实验室特创办“发光学论坛”，将不定期邀请国内外相关领域知名专家学者来开展学术交流。

　　    2015年6月26日，“发光学论坛”在实验室5楼学术报告厅举行了第1期学术交流报告。本期论坛邀请中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员、博导、优秀青年基金获得者，科技部“第三代半导体材料”项目总体专家组成员孙钱博士作关于“Si基GaN光电子及功率电子器件”的学术报告。孙钱博士围绕如何获得高质量的Si基GaN基材料及如何实现高性能的Si基GaN光电子及功率电子器件作了精彩的报告，并与半导体材料与器件研究室、新型纳米材料与应用研究室以及希达公司等相关部室讨论了合作事宜。实验室室副主任黎大兵研究员主持，所长助理孙守红研究员、基础处赵东旭副处长、希达公司郑喜凤总经理及员工、信息中心、发光室、吉林大学的研究人员和同学等80余人参加了本次交流会。

　　    孙钱博士在本次报告中，立足Si基GaN材料在蓝、绿及白光LED等光电子器件及功率电子器件中的优势，针对高质量Si基GaN基材料的生长难点，深入浅出的讲解了如何解决Si基GaN材料生长中大的热失配和晶格失配等关键科学问题，并对Si基GaN高效LED的外延、芯片工艺技术及如何成功产业化进行了报告。孙钱博士不仅分享了在Si基GaN光电子及功率电子器件研制中解决关键科学问题的方法和宝贵经验，而且介绍了Si基GaN光电子器件产业化的发展前景、面临的问题及解决方案。报告结束后，孙钱博士与参会者进行了热烈的交流，认真回答了参会者的各种问题，并就与我所可能的合作方向进行了讨论。

　　    最后，实验室副主任黎大兵研究员对本次交流会进行了总结。 本次学术交流会不仅为解决科研中的科学问题提供了思路，而且为如何实现科研成果产业化提供了借鉴方法。