第48期发光学论坛

报告题目：范德华异质结的光电和电子器件

报告人：王开友

报告时间：2019.4.24 下午4:00

报告地点：东配楼五楼大会议室

摘要：

在过去的十多年中，出现了带隙可调谐范围从0到6eV的各种二维（2d）材料。由于这些二维材料异质结具有原子完美的界面和锐利的带边，异质结构的界面处范德华力较弱，可以维持较大的晶格失配；并且由于这些特性将范德华晶体与传统的共价晶体区分开来，为光电器件和电子器件提供了许多机会。高性能器件制造的挑战之一是高质量触点的形成。使用石墨烯，可以与不同的二维材料形成高质量的界面和准欧姆接触，而无需使用金属电极时费米能级的钉扎。结果表明，该方法可以大大提高基于二维系统的光电器件的响应速度。我们报告了基于石墨烯和范德华异质结构的快速（MS）光电探测器[1]。通过对石墨烯触点（例如P型或N型）的二维层和异质结构（例如I型或II型）进行工程设计，我们实现了高性能、自驱动的光电探测器，其光响应范围从紫外线到近红外光谱范围[2-4，6]。高迁移率二维材料也被用于研究场效应晶体管中的隧道效应和负微分电阻现象，这些晶体管具有低阈值电压特性，适用于互补金属氧化物半导体（CMOS）技术以外的应用[5]。

References:

1.Wengang Luo, YuFei Cao, Pingan Hu, et al., Adv. Opt. Mater., 3, 1418(2015).

2.QuanShan Lv, Faguang Yan, Xia Wei, et al., Adv. Opt. Mater., 6,1700490(2018).

3.Faguang Yan, Lixia Zhao, Amalia Patanè et al., Nanotechnology, 28, 27LT01(2017).

4.Xia Wei, Faguang Yan, Quanshan Lv et al., Nanoscale, 9, 8388 (2017).

5.Quanshan Lv et al. in Preparation.

6.Faguang Yan, Zhongming Wei, Xia Wei et al., Small Method,2 ,1700349?(2018).

个人简介：

中科院半导体所研究员，博士生导师，国家杰出青年基金获得者，现任半导体超晶格国家重点实验室主任。2005年在英国诺丁汉大学天文物理学院获得博士学位。2005年3月－5月在诺丁汉大学作研究助理，?2005年6月－2009年3月在日立剑桥研究实验室作Researcher。曾两次在波兰科学院物理研究所做访问研究，并作为访问教授在丹麦玻尔研究所进行短期访问研究。2009年通过中国科学院的资助加入半导体研究所超晶格国家重点实验室工作，迄今合作发表了100多篇科技论文，发表的文章被引用4000多次。现任多个杂志编委，并获得侨界创新人才贡献奖、国际先进材料学会奖章等奖励，当前研究兴趣主要是自旋电子学器件及低维纳米器件的物理特性研究。

发光室项目办 2019/4/24