一、简 介
张振中，男，博士，研究员。1999年07月本科毕业于吉林大学化学系。2004年08月博士毕业于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，同年进入发光学及应用国家重点实验室工作，2006年9月晋升为副研究员，2011年9月晋升为研究员。一直从事ZnO基p型掺杂、发光器件及紫外探测器件的研究。在ZnO的p型掺杂方面，针对N-N对浅施主问题，采用光谱实时监控NO等离子体以及N2-O2混合等离子体，从源头上抑制N-N对，生长出稳定的p型ZnO，在基于蓝宝石衬底的ZnO同质p-n结上观测到室温蓝紫色电致发光。该系列工作作为research high light得到Nature China杂志的高度评价。在探测器方面，通过两步热处理实现了可重复的MgZnO-Au肖特基接触，通过混相MgZnO薄膜实现了高响应度的MgZnO日盲紫外探测器件，通过梯度带隙引入准电场，降低碰撞离化阈值，在6伏下实现了MgZnO日盲紫外探测器件的雪崩增益。已发表SCI论文160余篇，H因子30。
二、研究方向
1、宽禁带II族氧化物半导体光电探测器件
2、宽禁带II族氧化物半导体掺杂及其发光器件
三、承担科研项目及获奖
1.承担科研项目
1）基于Ga2O3/MgZnO扩散增强掺杂pn结的日盲紫外雪崩探测器研究 81万元，2014.1-2017.12，负责人
2）MgZnO价带顶对称性及其对带间跃迁几率的影响,国家自然科学基金项目,32万元，2010年1月至2012年12月负责人
3）中科院创新岗位项目，21万元，2010年1月至2012年12月，负责人
4）II族氧化物半导体外延薄膜表面界面工程及器件结构研究，163万元，973课题第二单位负责人
2.科研获奖
1) 申德振，吕有明，矫淑杰，李炳辉，张振中，梁红伟，魏志鹏，刘益春，张喜田，李炳生，姚斌，赵东旭，张吉英，范希武，《在蓝宝石衬底上研制ZnO同质pn结及其蓝紫色电致发光》，吉林省科技进步奖，一等奖，2008年
2) 申德振，单崇新，张吉英，朱海，赵东旭，鞠振刚，刘吉山，刘可为，王立昆，张振中，李炳辉，王双鹏，范希武，《氧化锌基紫外光电探测材料与器件研究》，吉林省科技进步奖，一等奖，2012年
3)申德振，单崇新，姚斌，张吉英，李炳辉，朱海，乔倩，赵东旭，张振中，范希武，《II族氧化物激光材料与器件研究》，吉林省自然科学奖，一等奖，2015年
四、代表性工作及论文
代表性论文: （不超过10篇）
1. Xiuhua Xie, Zhenzhong Zhang*, Binghui Li, Shuangpeng Wang, Mingming Jiang, Chongxin Shan, Dongxu Zhao, Hongyu Chen, and Dezhen Shen, Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic MgZnO films via gallium doping, Optics Express, 22,246-253 (2014)
2. X. H. Xie, Z. Z.Zhang*, B. H. Li, S. P. Wang, M. M. Jiang, C. X. Shan, D. X. Zhao, H. Y. Chen, D. Z. Shen, Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer, Applied Physics Letters, 102, 231122 (2013)
3. X. H. Xie, Z. Z. Zhang*, C. X. Shan, H. Y. Chen, and D. Z. Shen, Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phase-MgZnO/i-MgO/p-Si double heterojunction, Appl. Phys. Lett. 101, 081104 (2012)
4. S. Han*, Z.Z. Zhang, J.Y. Zhang, L.K. Wang, J. Zheng, H.F. Zhao, Y.C. Zhang, M.M. Jiang, S.P. Wang, D.X. Zhao, C.X. Shan, B.H. Li; D.Z. Shen, Photoconductive gain in solar-blind ultraviolet photodetector based on Mg(0.52)Zn(0.48)O thin film, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011)
5. W. W. Liu, B. Yao, Z. Z. Zhang*, Y. F. Li, B. H. Li, C. X. Shan, J. Y. Zhang, D. Z. Shen and X. W. Fan, Doping efficiency, optical and electrical properties of nitrogen-doped ZnO films, J. Appl. Phys. 109, 093518 (2011)
6. X.Y. Chen, Z.Z.Zhang*, B. Yao, M.M. Jiang, S.P. Wang, B.H. Li, C.X. Shan, L. Liu, D.X. Zhao, D.Z. Shen, Effect of compressive stress on stability of N-doped p-type ZnO, Appl. Phys. Lett. 99, 091908 (2011)
7 X.Y. Chen, Z.Z.Zhang*, B. Yao, M.M. Jiang, S.P. Wang, B.H. Li, C.X. Shan, L. Liu, D.X. Zhao, H.F. Zhao and D.Z. Shen, Control of N/N2 species ratio in NO plasma for p-type doping of ZnO, J. Appl. Phys. 110, 053305 (2011)
8 .Shun Han, Jiying Zhang, Zhenzhong Zhang*, Yanmin Zhao, Likun Wang, Jian Zheng, Bin Yao, Dongxu Zhao, and Dezhen Shen，Mg0.58Zn0.42O Thin Films on MgO Substrates with MgO Buffer Layer, Acs Applied Materials & Interfaces, 2, 1918 (2010)
9.Z.Z. Zhang, Z.P. Wei , Y.M. Lu , D.Z. Shen , B. Yao , B.H. Li , D.X. Zhao ,J.Y. Zhang , X.W. Fan , Z.K. Tang, p-Type ZnO on sapphire by using O2–N2 co-activating and fabrication of ZnO LED J. Cryst. Growth 301–302, 362(2007)
10. S. J. Jiao, Z.Z.Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, B.Yao, J.Y.Zhang, B.H.Li, X. W. Fan, Z.k.Tang, ZnO p-n junction light-emitting diodes fabricated on sapphire substrates, Appl. Phys. Lett., 88, 031911(2006).
授权发明专利：
1.制备太阳盲紫外探测器的方法ZL200810051098.8,2008
2．制备单一立方相结构的MgxZn1-xO半导体合金体材料的方法 ZL200810050790.9, 2008
3．一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 ZL200810050587.1, 2008
4．制备p型氧化锌半导体体材料的方法 ZL200810050450.6, 2008
5．一种利用光谱探测技术指导等离子辅助制备半导体材料的方法ZL200510016509.6, 2008
6．用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法ZL200410010859.7, 2007
7．硅衬底上生长II-VI族材料薄膜的方法，ZL02144730.6，发明专利，2002。
五、联系方式
办公室：0431-86176312
电 话：13596041394
E-mail： zhangzz@ciomp.ac.cn
