谢修华

一、基本信息
谢修华 副研究员
通信地址：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 东配楼222
电话：0431-86176312
E-mail: xiexh@ciomp.ac.cn

二、研究领域
宽禁带半导体光电子、分子束外延(MBE)、II族氧化物p型掺杂、异质结界面调控

三、教育背景
2009.09至2014.07 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 凝聚态物理 博士
2005.09至2009.07 东北师范大学 物理学 学士

四、工作经历
2018.09至今 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 副研究员
2014.07至2018.09 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 助理研究员

五、科研项目
1. 国家自然科学基金青年科学基金，基于梯度带隙MgZnO的单载流子倍增型深紫外探测器的研究，项目负责人
2. 国家重点实验室创新课题，氧化锌极性表面重构与缺陷形成研究，课题负责人
3. 吉林省优秀青年人才基金项目，基于极化对称性破缺理论的II族氧化物半导体材料掺杂特性研究，项目负责人
4. 中科院长春光机所曙光人才计划，II族氧化物半导体掺杂特性研究，项目负责人

六、参与会议
1. 2018中国电子学会电子信息青年科学家论坛暨第二届半导体青年学术会议，河南—郑州 2018年10月，口头报告
2. 中国真空学会2018学术年会，吉林—长春 2018年8月，口头报告
3. 第八届全国氧化锌学术会议，广西—南宁 2017年10月，口头报告

七、发表论文
1. Xie, X. H.; Li, B. H.; Zhang, Z. Z.; Wang, S. P.; Shen, D. Z. Controlled compensation via non-equilibrium electrons in ZnO. Scientific Reports 2018, 8, 7.
2. Xie, X. H.; Li, B. H.; Zhang, Z. Z.; Shen, D. Z. Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices. J. Phys. D-Appl. Phys. 2018, 51 (22), 4.
3. Xie, X. H.; Li, B. H.; Zhang, Z. Z.; Shen, D. Z. Hot carriers induced quenching of defects luminescence in Si doped AlN with Al core. J. Lumines. 2018, 198, 178.
4. Xie, X. H.; Li, B. H.; Zhang, Z. Z.; Shen, D. Z. Eradicated unintentional incorporated donor-type impurities of ZnO. AIP Advances 2018, 8 (3), 5.
5. Xie, X. H.; Li, B. H.; Zhang, Z. Z.; Shen, D. Z. Zn vacancies creation via (2 x 2) surface reconstruction. J. Phys. D-Appl. Phys. 2017, 50 (32), 6.
6. Xie, X. H.; Li, B. H.; Zhang, Z. Z.; Wang, S. P.; Shen, D. Z. Conduction band discontinuity and carrier multiplication at the MgxZn1-xO/MgyZn1-yO interface. RSC Adv. 2016, 6 (41), 34955.
7. Xie, X. H.; Zhang, Z. Z.; Li, B. H.; Wang, S. P.; Shen, D. Z. Ultra-low threshold avalanche gain from solar-blind photodetector based on graded-band-gap-cubic-MgZnO. Opt Express 2015, 23 (25), 32329.
8. Xie, X. H.; Zhang, Z. Z.; Li, B. H.; Wang, S. P.; Jiang, M. M.; Shan, C. X.; Zhao, D. X.; Chen, H. Y.; Shen, D. Z. Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic MgZnO films via gallium doping. Opt Express 2014, 22 (1), 246.
9. Xie, X. H.; Zhang, Z. Z.; Li, B. H.; Wang, S. P.; Jiang, M. M.; Shan, C. X.; Zhao, D. X.; Chen, H. Y.; Shen, D. Z. Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer. Applied Physics Letters 2013, 102(23), 231122.
10. Xie, X. H.; Zhang, Z. Z.; Shan, C. X.; Chen, H. Y.; Shen, D. Z. Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phase-MgZnO/i-MgO/p-Si double heterojunction. Applied Physics Letters 2012, 101(8), 081104.