韩冬
一、简介
韩冬，男，副研究员。2014年毕业于吉林大学电子科学与技术学院，获得微电子学与固体电子学专业博士学位。2011-2013年在美国伦斯勒理工学院物理、应用物理和天文系作为联合培养博士研究生进行学习。2014年进入中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，发光学及应用国家重点实验室，主要从事宽禁带半导体材料与器件的缺陷、掺杂调控的理论研究工作。发表包括Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, Nano Lett., NPJ: Comput. Mater.等SCI收录学术论文26篇，被引500余次。作为项目负责人承担国家自然科学基金项目3项。
个人主页：
韩冬@科研之友，链接：http://www.scholarmate.com/profile/donghan94
韩冬@CIOMP OpenIR，链接：http://ir.ciomp.ac.cn/profile/hand
二、研究方向
通过量子力学方法计算研究宽禁带氧化物半导体、低维半导体材料与器件中与发光相关的一系列基本物理问题。通过对缺陷、掺杂进行表征调控以优化半导体光电性质，促进宽禁带氧化物半导体光电材料和器件的开发与应用。具体研究方向包括：
1. 宽禁带氧化物半导体中缺陷、掺杂特性的表征及调控；
2. 低维半导体光电材料原子结构和电子性质的理论研究；
3. 半导体光电材料中激发态载流子动力学过程的理论模拟；
三、承担科研项目及获奖
1. 承担科研项目
[1] 2020/01-2023/12，国家自然科学基金面上项目，11974344，“二维少层氧化锌半导体光电性质及掺杂特性研究”，62万元，项目负责人。
[2] 2016/01-2018/12，国家自然科学基金青年科学基金项目，11504368，“掺杂调控II-VI族宽禁带半导体及衍生四元半导体中本征深能级的研究”，24万元，课题负责人。
[3] 2017/05-2017/11，国家自然科学基金国际(地区)合作与交流项目，61791240184，“国际理论物理中心光诱导电子激发光谱和动力学研讨会”， 1.5万元，课题负责人。
2. 科研获奖
2018，吉林省自然科学学术成果奖三等奖，排名第二。
四、代表性工作及论文
代表性论文：
1. Dong Han, Xue-Jiao Chen, Hai Xu, Chen Jiao, Ji-Lian Xu, Ke-Xue Li, Lei Liu, Yao-Biao Li, and De-Zhen Shen, “Stretch/Compress-Modulated Spin Splitting in One-Dimensional Melem Chain with a Helical Structure”, Phys. Status Solidi RRL 13, 1900294 (2019) (SCI IF= 3.721).
2. Dong Han, Junhyeok Bang, Weiyu Xie, Vincent Meunier, and Shengbai Zhang, “Phonon-Enabled Carrier Transport of Localized States at Non-Polar Semiconductor Surfaces: A First-Principles-Based Prediction”, J. Phys. Chem. Lett. 7, 3548 (2016) (SCI IF=8.709).
3. Dong Han, Y. Y. Sun, Junhyeok Bang, Y. Y. Zhang, Hong-Bo Sun, Xian-Bin Li, and S. B. Zhang, “Deep Electron Traps and Origin of p-type Conductivity in Earth-Abundant Solar-Cell Materials Cu2ZnSnS4”, Phys. Rev. B 87, 155206 (2013) (SCI IF=3.813).
4. Dong Han, D. West, Xian-Bin Li, Sheng-Yi Xie, Hong-Bo Sun, and S. B. Zhang, “Impurity doping in SiO2: Formation energies and defect levels from first-principles calculations”, Phys. Rev. B 82, 155132 (2010) (SCI IF=3.813).
5. Xuejiao Chen, Dong Han(通信作者), Ying Su, Qinghui Zeng, Lei Liu, and Dezhen Shen, “Structural and Electronic Properties of Inorganic Mixed Halide Perovskites” Phys. Status Solidi RRL 12, 1800193 (2018) (SCI IF= 3.721).
4. Hai Xu, Dong Han(共同一作), Yang Bao, Fang Cheng, Zijing Ding, Sherman J. R. Tan, and Kian Ping Loh, “Observation of Gap Opening in 1T’ Phase MoS2 Nanocrystals”, Nano Lett. 18, 5085 (2018) (SCI IF= 12.080).
5. Dan Wang, Dong Han(共同一作), Damien West, Nian-Ke Chen, Sheng-Yi Xie, Wei Quan Tian, Vincent Meunier, Shengbai Zhang and Xian-Bin Li, “Excitation to defect-bound band edge states in twodimensional semiconductors and its effect on carrier transport”, NPJ: Comput. Mater. 5, 8 (2019). (SCI IF= 3.721)
6. Pengtao Jing, Dong Han(共同一作), Di Li, Ding Zhou, Dezhen Shen, Guanjun Xiao, Bo Zou, Songnan Qu, “Surface Related Intrinsic Luminescence from Carbon Nanodots: Solvent Dependent Piezochromism”, Nanoscale Horiz. 4, 175 (2019). (SCI IF=7.943).
7. Dan Wang, Dong Han, Xian-Bin Li, Sheng-Yi Xie, Nian-Ke Chen, Wei Quan Tian, Damien West, Hong-Bo Sun, and S.？B. Zhang, “Determination of Formation and Ionization Energies of Charged Defects in Two-Dimensional Materials”, Phys. Rev. Lett. 114, 196801 (2015). (SCI IF=7.943).
五、联系方式
办公室：东配楼223
电 话：0431-86176340
E-mail: hand[at]ciomp.ac.cn
