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杰出青年

单崇新

发布时间:2015-12-02来源:[我要打印]

一、简 介

        照片 373   单崇新,男,研究员、博士生导师,1977年生,河南长垣人。1999 年本科毕业于武汉大学,2004 年博士毕业于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所。2004 年到2008 年先后在香港中文大学和英国诺丁汉大学进行博士后研究。2008 年回到中科院长春光机2014年获批国家杰出青年基金项目,2015年入选中组部万人计划青年拔尖人才。近年来一直在从事宽禁带半导体光电材料与器件研究,实现了国际上第一个氧化锌基激子型电致发光、第一个氧化锌雪崩探测器等结果。发表SCI论文140余篇,被SCI他引2200余次,授权国家发明专利4项,与他人合著英文专著3。在国际国内学术会议上做邀请报告40余次。科研成果多次被Nature NanotechnologyNature Photonics等引用和评述,被所在领域权威手册收录。获吉林省自然科学一等奖1项(排名第二)、吉林省科技进步一等奖1项(排名第二)、吉林省自然科学学术成果二等奖1项(排名第一),及吉林省优秀海外归国人才、吉林省拔尖创新人才、长春市有突出贡献专家等科技奖励和荣誉。

二、研究方向

  宽禁带半导体,包括光电探测器、发光器件、随机激光,以及新型发光材料与器件等。 

三、承担科研项目及获奖

  1. 承担科研项目

  [1] 国家杰出青年基金项目,“II族氧化物宽禁带半导体,负责人,2015.01-2019.12,400万元)

  [2] 国家自然科学基金面上项目,基于绝缘层中载流子碰撞离化的氧化锌基日盲雪崩探测器研究,负责人,2014.01~2017.1295万)。

  [3] 国家自然科学基金面上项目,立方相氧化锌基深紫外发光器件研究,负责人,2012.01- 2015.1268万元)

  [4] 国家自然科学基金面上项目,基于原子层镶嵌方法的氧化锌p型掺杂研究负责人,2010.01~2012.1242万);

  [5] 中国科学院科研装备研制项目,原子层沉积/金属有机物化学气相沉积复合设备的研制2009.07-2012.06,负责人(290万元)。

  [6] 吉林省中青年创新领军人才及优秀团队培育计划,“吉林省氧化锌基光电材料与器件研究创新团队负责人,(20万元)。 

   2. 科研获奖

  [1] 中组部万人计划青年拔尖人才2015年)

  [2] 吉林省自然科学一等奖(排名第2)(2015年)

  [3] 长春市有突出贡献专家(2015年)

  [4] 国家杰出青年基金 2014年)

  [5] 吉林省优秀海外归国人才 2014年)

  [6] 吉林省科技进步一等奖 (排名第2) (2012)

  [7] 吉林省拔尖创新人才 (2012年)

  [8] 吉林省自然科学学术成果奖二等奖 (排名第1) (2011)

  [9] 第五届徐叙瑢发光学优秀青年论文一等奖(2010年)

  [10] 第七届长白青年科技奖特优奖(2009年) 

四、代表性工作及论文:   

1.  Y. J. Lu, C. X. Shan*, M. M. Jiang, G. C. Hu, N. Zhang, S. P. Wang, B. H. Li, D. Z. Shen, Random lasing realized in n-ZnO/p-MgZnO core-shell nanowire heterostructures, CrystEngComm 17(21), 3917- 3922 (2015).

2.   Z. G. Dai, X. H. Xiao, W. Wu, Y. P. Zhang, L. Liao, S. S. Guo, J. J. Ying, C. X. Shan*, M. T. Sun, C. Z. Jiang, Plasmon driven reaction controlled by the number of graphene layers and localized surface plasmon distribution during optical excitation, Light: Sc. Appl. 4, e342 (2015).

3.   D. Y. Guo, C. X. Shan*, S. N. Qu, D. Z. Shen, Highly Sensitive Ultraviolet Photodetectors Fabricated from ZnO Quantum Dots/Carbon Nanodots Hybrid Films, Sci. Rep. 4, 7469 (2014).

4.   P. N. Ni, C. X. Shan*, B. H. Li, S. P. Wang, D. Z. Shen, Bias-polarity dependent ultraviolet/visible switchable light-emitting devices, ACS Appl. Mater. Interfaces 6, 8257- 8262 (2014).

5.   P. N. Ni, C. X. Shan*, B. H. Li, D. Z. Shen, High Mg-content wurtzite MgZnO alloys and their application in deep-ultraviolet light-emitters pumped by accelerated electrons, Appl. Phys. Lett. 104, 032107 (2014).

6.   H. Shen, C. X. Shan*, B. H. Li, B. Xuan, D. Z. Shen, Reliable self-powered highly spectrum-selective ZnO ultraviolet photodetectors, Appl. Phys. Lett. 103, 232112 (2013).

7.   X. Y. Liu, C. X. Shan*, S. P. Wang, H. F. Zhao, D. Z. Shen, Intense emission from ZnO nanocolumn Schottky diodes, Nanoscale 5, 7746- 7749 (2013).

8.   Q. Qiao, C. X. Shan*, J. Zheng, H. Zhu, S. F. Yu, B. H. Li, Y. Jia, D. Z. Shen, Surface plasmon enhanced electrically pumped random lasers, Nanoscale 5, 513- 517 (2013).

9.   X. Y. Liu, C. X. Shan*, S. P. Wang, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, Electrically pumped random lasers fabricated from ZnO nanowire arrays, Nanoscale 9, 2843-2846, (2012).

10.  J. S. Liu, C. X. Shan*, H. Shen, B. H. Li, Z. Z. Zhang, L. Liu, L. G. Zhang, D. Z. Shen, ZnO light-emitting devices with a lifetime of 6.8 hours, Appl. Phys. Lett. 101, 011106 (2012).

五、联系方式

       办公室:长春市东南湖大路3888号,中科院长春光机所东配楼223

         话:0431-86176340

       E-mailshancx@ciomp.ac.cn