一、简 介
宁永强，男，研究员、博士生导师，1965年生，吉林图们人。1987年吉林大学电子科学系本科毕业，1999年于中科院长春物理所获博士学位。2009年度被推荐新世纪百千万人才工程国家级人选，获2015年度科技部创新人才推进计划“大功率半导体激光器重点领域创新团队”，担任团队负责人。
近年来在大功率垂直腔面发射激光研究中，率领团队于2004年在国际首次实现了VCSEL单管1.95W连续输出，并于2011年研制出92瓦脉冲输出单管激光器（Applied Physics Express, 2011年4月），美国《Semiconductor Today，2011年5月》以“垂直腔面发射激光器取得92瓦输出记录”为题专文评述，2011年研制出4×4二维面阵器件脉冲输出功率超过123W(Applied Physics Express, 2011年4月)，美国《Semiconductor Today, 2011年5月》以“采用应变补偿GaAsP 势垒将垂直腔面发射激光面阵功率提高了13%”为题撰文进行了评述；2014年研制出210W高峰值功率VCSEL列阵器件(Japanese J. Applied Physics, 2014年7月)，美国《Semiconductor Today，2014年7月》以“垂直腔面发射激光集成面阵输出功率210W”为题专文进行了评述。在芯片原子钟专用高温垂直腔面发射激光方面，组织团队突破InAlGaAs等新材料结构设计与制备等问题，国内首次实现795nm/ 894nmVCSEL在高温（>70℃）下高效率工作。
二、研究方向
大功率垂直腔面发射激光器
三、承担科研项目及获奖
1.承担科研项目
2.科研获奖
（1）2015年吉林省技术发明一等奖，高光束质量大功率垂直腔面发射激光关键技术
（2）2011年国家技术发明二等奖，高密度集成、高光束质量激光合束高功率半导体激光关键技术及应用
（3）2010年吉林省技术发明一等奖，半导体激光合束技术及应用
（4）2007年国家科技进步二等奖，无铝量子阱大功率激光器关键技术及应用
四、代表性工作及论文
代表性论文:
1. High-peak-power vertical-cavity surface-emitting laser quasi-array realized using optimized large-aperture single emitters, Japanese Journal of Applied Physics v 53, n 7, July 2014
2. High-temperature operating 894.6nm-VCSELs with extremely low threshold for Cs-based chip scale atomic clocks, Optics Express,v 23, n 11, p 14763-14773, 2015
3 . Improved performances of 850 nm vertical cavity surface emitting lasers utilizing the self-planar mesa structure, Optics and Laser Technology,v 56, p 343, 2014
4 . Design and analysis of high-temperature operating 795nm VCSELs for chip-scale atomic clocks, Laser Phys. Lett.,V 10, p 045802, 2013
5. The improved output performance of a broad-area vertical-cavity surface-emitting laser with an optimized electrode diameter, Chin. Phys. B,V 22(6), p064209,2013)
6. Preproduction prediction of the optical normalized reflectance transient of MOVPE-grown AlGaAs films using transfer matrix method, Optik, v 124(18), p 3571,2013
7. Power and spectra polarization of large-aperture rectangular-shaped vertical-cavity top-emitting lasers, Laser Physics,v22(3), p554,2012
授权发明专利：
1. 集成纳米微腔电流放大器, ZL201110129792.9
2. 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法, ZL201210279639.9
3. 垂直腔面发射激光器及其制作方法, ZL201210279632.7
4. 一种酒驾遥感快速激光自动预检系统, ZL201110182030.5
5. 高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器, ZL201210079120.6
6. 电致激发分子掺杂薄膜层纳腔激光器, ZL201110129801.4
7. 半导体激光器台式旋转装置, ZL201110128222.8
五、联系方式
办公室：0431-86176348
电 话：13596163531
E-mail： ningyq@ciomp.ac.cn
